上海矽朋微荣获“中国半导体市场年度最佳产品
— 芯纽带 新未来 —
7月20日，由江苏省工业和信息化厅、南京江北新区管理委员会主办，江苏省半导体行业协会、南京江北新区产业技术创研园、南京浦口经济开发区、赛迪顾问股份有限公司、南京润展国际展览有限公司承办的“2023世界半导体大会暨南京国际半导体博览会”在南京盛大开幕，矽朋微电子受邀参与本次大会，并凭借突出的技术创新实力、先进的人才培养理念荣获奖项。
本次大会以“芯纽带、新未来”为主题，针对核心技术和未来趋势等行业焦点，聚焦半导体行业新市场、新产品、新技术，致力于打造高水平的“半导体专用”交流平台、优秀技术产品展示推广平台实践经验分享平台和供需对接平台，从多方面助力我国半导体产业链协同发展。
荣获中国半导体市场最佳产品
大会举办了2022年度集成电路优秀产品颁奖典礼，上海矽朋微电子有限
公司荣获“2022-2023年度中国半导体市场最佳产品（新型非易失磁性存储器）奖”。
公司荣获“2022-2023年度中国半导体市场最佳产品（新型非易失磁性存储器）奖”。
传统的存储技术，如 SRAM、DRAM、Flash 等在现代电子行业的确取得了显著的成就，但是随着半导体制造工艺接近 20nm 水平，这些传统技术的缺陷就越来越明显。
新型非易失磁性存储器MRAM由一只MOS管、一只磁隧道结MTJ和若干连接线组成，制造工艺完全与目前集成电路工艺兼容，结构简单和制备工艺费用小且工艺可扩展性强，基于14nm的MRAM工艺已经量产。
MRAM具有非易失性、极高擦写次数（1E9~1E14）、容量大等特点，而且读写信息的损耗小、功耗低、速度快（20ns）。
在用作缓存上，MRAM 由于具有很高的可写次数、对软错误的自然免疫力、无备用电源、高的集成密度、非易失性等特点，成为片上缓存系统的最佳候选者之一。MRAM 缓存有更低的动态能量消耗，相比同等容量的 SRAM 缓存，有着更短的信息读取延迟。
MRAM 极高的抗辐射性能，可以应用在抗恶劣环境下高性能计算机或控制系统、数据存储系统。
矽朋微目前已量产和规划量产的MRAM容量包含256Kb、2Mb、4Mb、16Mb、64Mb、256Mb。
