智能电网研讨STT-MRAM
MRAM技术对于智能电表系统这样高可靠性应用来说具有很大的优势，比如非易失性和快速读/写能力。终端用户需要专门针对关键应用设计的高可靠性存储器产品来满足系统的可靠性。
1.STT-MRAM的非易失性存储器在意外掉电时无需后备电池就能帮助客户进行数据保存。
2.STT-MRAM的快速读写能力大幅降低了系统读取/写入等待时间，使就地执行应用更有效率。
3.STT-MRAM同时具备高带宽读写和非易失的特性，可担当存储器和运行内存的双重功能；没有写延迟：可实现系统掉电自动保护。
4.STT-MRAM存储器属于国内自主产品，首家批量出货。
5.数据安全性大大提高，方便进行防篡改应用。
6.可同时替换SRAM+FLASH+EEPROM。
7.数据可存储寿命大于20年，擦写次数超亿次，目前容量512K~256M，后续持续系列化大容量推进。
PS：朱晓明博士，1997年清华大学电子工程系毕业，美国加州大学伯克利分校电机工程和计算机科学系博士学位。曾任5年美国高通资深工程师，7年中兴微电子总工程师总架构师，国家级人才专家。
