矽朋微SST-MRAM在SSD/RAID卡中的应用

STT-MRAM在SSD中的应用特点：

• STT-MRAM可在SSD中实现更大的写缓冲，从而减少能量存储，提高了SSD的可靠性和可制造性。在低延迟STT-MRAM中实现的较大写缓冲器，可以减少写入放大并提高闪存阵列的耐用性。

• STT-MRAM提供分级FTL的非易失性存储，简化了控制器设计，同时缩短了电源故障后的恢复时间。

• STT-MRAM的使用为本地低延迟CMB实现提供持久存储，同时简化了将这种广泛功能添加到SSD驱动器的任务。

• STT-MRAM允许SSD设计人员优化封装、性能、耐用性和可靠性，同时降低复杂性并实现高级功能，为下一代企业级SSD中基于DRAM的SSD控制器架构提供了更好的替代方案。

方案一：添加小容量MRAM

• 添加在控制器和DRAM的总线之间

• 64Mb及以上容量MRAM

• 增加了可用空间提高了整体性能/可靠性

方案二：大容量MRAM替代DRAM

• 闪存容量的1/1000

• 增加了可用空间

• 提高了整体性能/可靠性

• 完全省略电容等能量存储器件

• 缩短了启动恢复时间

SST-MRAM在RAID中的应用是一个溢价空间高，出货量大的场景：

• MRAM中存储的主要是系统元数据，RAID条带地址组合信息等，这类信息属于修改频繁，字节操作且不能丢失的信息，因此需要快速，非易失且能够小读小写的介质来存储。