矽朋微SST-MRAM技术特点和应用领域
矽朋微SST-MRAM技术特点：
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高速：速度与DRAM相当，比Flash快1万倍
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高擦写次数：比NANDFlash多一千万倍
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CMOS兼容性好：可独立、可嵌入式
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掉电不丢失：MRAM可以断电保存数据
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低功耗：只有读写数据的时候才上电
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抗辐射抗恶劣环境：
TID＞100Krad
LET＞80MeV•cm2•mg-1
STT-MRAM和常用存储器参数对比情况：
| STT-MRAM | EEPROM | FLASH | SRAM | FRAM | |
| Memory Type | Non-Voltile | Non-Voltile | Non-Voltile | Voltile | Non-Voltile |
| Write Method | Overwrite | Erase+Write | Erase+Write | Overwrite | Overwrite |
| Write Cycle Time | 25ns | 10us | 10us | 5ns | 150ns |
| Read/Write Cycle | 1012 | 106 | 106 | unlimited | 1013 |
| Booster Circuit | No | Yes | Yes | No | No |
| Data Backup Battery | No | No | No | Yes | No |
STT-MRAM和几种非易失存储器参数对比：
| STT-MRAM | FRAM | nvSRAM | Toggle-MRAM | |
| 存储器类型 | Non-Voltile | Non-Voltile | Non-Voltile | Non-Voltile |
| 写入方法 | OverWrite | OverWrite | OverWrite | OverWrite |
| 写周期 | 25ns | 150ns | 25ns | 35ns |
| 读/写次数 | 1012 | 1013 | 106 | 1012 |
| 密度 | High | Low | Low | Middle |
| 数据保存时间 | >20yrs | 10yrs | 20yrs | >20yrs |
SST-MRAM应用领域：
SST-MRAM应用场景：
