量产版独立式MRAM PM004MNI

概述

  快速的存储速度、简捷的字节读写模式、数据非易失性、亿次以上的擦写次数、超强抗辐射能力、可期待的技术迭代前景，量产版新型的独立式非易失磁存储来了！
  PM004M是一种新型非易失性磁随机存储器，产品容量为4Mbits支持SPI/QPI接口方式按字节读写数据。PM004M的存储器阵列采用STT-MRAM技术，存储阵列中的数据将保持20年以上。
  PM004M广泛用于工业数据集中存储、智能仪表数据采集、物联网产品数据存储记录。

特点

 ● 接口方式：
高达50MHz时钟频率@SPI SDR
高达50MHz时钟频率@QPI SDR
支持标准SPI, Quad SPI模式
支持字节读写操作，写入无延迟
支持SPI 模式0和模式3
● 工作电压：3.3V(典型值)，VCC=2.7V~3.6V
● 数据保护：支持软件保护模式
● 工作功耗：
休眠电流2uA(典型值)
待机电流2mA(典型值)
工作电流4.3mA(典型值@SPI 50MHz)
● 可靠性：
数据保存＞20年@85℃
读写次数达1E8 (1亿)次
● 封装：SOP8_150mil
● 工作温度范围：-40℃~85℃

引脚

 

阵列示意图