矽朋微SST-MRAM在抗辐射方面的应用

• 对不同形式的辐射引发的单粒子翻转效应（单个高能粒子作用于半导体器件，引发器件的逻辑状态发生异常变化）免疫；

• 高耐用性；

• 对称写入和读取；

• 运行功耗非常低。

主要指标：

• SEU免疫

• SEL芯片内部限流克服，TID≥80Krad

• 容量能够大于64Mb

• 同时工作温度能够达到105℃以上