矽朋微SST-MRAM在抗辐射方面的应用

STT-MTJ天然抗辐射,使其成为高可靠性和一些特殊需要抗粒子辐射方面应用的绝佳选择。这些特性包括:
  • 对不同形式的辐射引发的单粒子翻转效应(单个高能粒子作用于半导体器件,引发器件的逻辑状态发生异常变化)免疫;

  • 几乎永久耐用;

  • 对称写入和读取;

  • 运行功耗非常低。

上述所有特性都符合某些长时间处在粒子辐射环境下的要求,之前这些应用中对存储器的使用,普遍采用抗辐射 NOR/EEPROM+SRAM,目前开始采用MRAM+SRAM,容量比例为64Mb+512Kb*32。其中SRAM为运行内存,如果未来MRAM可集成到单片机中,可以考虑未来全部采用MRAM来存储和运行。

主要指标:

  • SEU免疫

  • SEL芯片内部限流克服,TID≥80Krad

  • 容量能够大于64Mb

  • 同时工作温度能够达到105℃以上

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